D6V3E1U2LP-7B
![D6V3E1U2LP-7B](https://static.chipdip.ru/lib/573/DOC006573144.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
15 руб.
Мин. кол-во для заказа 25 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
12 руб.
от 150 шт. —
9.80 руб.
25 шт.
на сумму 375 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Диоды для подавления переходных скачков напряжения / подавители ЭСР PP
Технические параметры
Cd - емкость диода | 200 pF |
Iпи - пиковый импульсный ток | 25 A |
Pd - рассеивание мощности | 250 mW |
Pppm - пиковое рассеивание мощности | 300 W |
Vеср - напряжение электростатического разряда при воздушном зазоре | 30 kV |
Vеср - напряжение электростатического разряда при контакте | 30 kV |
Категория продукта | Диоды для подавления переходных скачков напряжения |
Количество каналов | 1 Channel |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 65 C |
Напряжение пробоя | 6.5 V |
Напряжение фиксации | 12 V |
Подкатегория | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes |
Полярность | Unidirectional |
Рабочее напряжение | 6.3 V |
Размер фабричной упаковки | 10000 |
Тип выводов | SMD/SMT |
Тип продукта | ESD Suppressors |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок | X1-DFN1006-2 |
Техническая документация
Datasheet D6V3E1U2LP-7B
pdf, 182 КБ