BC807-16LT3G

Фото 1/2 BC807-16LT3G
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
7 руб.
Мин. кол-во для заказа 60 шт.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт.6 руб.
от 300 шт.4.40 руб.
от 1000 шт.3.79 руб.
Добавить в корзину 60 шт. на сумму 420 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8022727858

Описание

Биполярные транзисторы - BJT 500mA 50V PNP

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 225 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 0.94 mm
Длина 2.9 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Квалификация AEC-Q101
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 0.5 A
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 45 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.7 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Непрерывный коллекторный ток 0.5 A
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 100 MHz
Размер фабричной упаковки 10000
Серия BC807-16L
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка ON Semiconductor
Упаковка / блок SOT-23-3
Ширина 1.3 mm
Automotive No
Configuration Single
ECCN (US) EAR99
Lead Shape Gull-wing
Material Si
Maximum Collector Base Voltage (V) 50
Maximum Collector Cut-Off Current (nA) 100
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 0.7@50mA@500mA
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 45
Maximum DC Collector Current (A) 0.5
Maximum Emitter Base Voltage (V) 6
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Maximum Power Dissipation (mW) 300
Maximum Transition Frequency (MHz) 100(Min)
Minimum DC Current Gain 40@500mA@1V|100@100mA@1V
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Mounting Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Packaging Tape and Reel
Part Status Active
PCB changed 3
Pin Count 3
PPAP No
Product Category Bipolar Small Signal
Standard Package Name SOT
Supplier Package SOT-23
Type PNP

Техническая документация

Datasheet
pdf, 137 КБ
Datasheet
pdf, 243 КБ