FCH104N60F
![Фото 1/4 FCH104N60F](https://static.chipdip.ru/lib/806/DOC043806615.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307893.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/770/DOC016770963.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/770/DOC016770971.jpg)
1 190 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 190 руб.
Плати частями
от 299 руб. × 4 платежа
от 299 руб. × 4 платежа
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET; 600В; 24А; 357Вт; TO247 Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 37 A |
Maximum Drain Source Resistance | 104 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 357 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-247 |
Pin Count | 3 |
Series | SuperFET II |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 107 nC @ 10 V |
Width | 4.82mm |