FCB20N60TM
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 000 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 000 руб.
Плати частями
от 250 руб. × 4 платежа
от 250 руб. × 4 платежа
Описание
МОП-транзистор HIGH POWER
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 20 A |
| Pd - рассеивание мощности | 208 W |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 190 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 140 ns |
| Время спада | 65 ns |
| Высота | 4.83 mm |
| Длина | 10.67 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | SuperFET |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 800 |
| Серия | FCB20N60 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 230 ns |
| Типичное время задержки при включении | 62 ns |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Ширина | 9.65 mm |
Техническая документация
Datasheet FCB20N60TM
pdf, 499 КБ
