DMN601WKQ-7
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
15 руб.
Мин. кол-во для заказа 30 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
13 руб.
от 150 шт. —
12 руб.
от 500 шт. —
10.43 руб.
30 шт.
на сумму 450 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
МОП-транзистор 2N7002 Family
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 300 mA |
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 3 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-323-3 |
| Continuous Drain Current (Id) | 300mA |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 2Ω@500mA, 10V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2.5V@1mA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 50pF@25V |
| Power Dissipation (Pd) | 200mW |
| Type | 1PCSNChannel |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 446 КБ
