BCP5116TA

Фото 1/3 BCP5116TA
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
24 руб.
Мин. кол-во для заказа 20 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт.20 руб.
20 шт. на сумму 480 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8022744310
Бренд: DIODES INC.

Описание

Описание Транзистор: PNP, биполярный, 45В, 1А, 2Вт, SOT223 Характеристики
Категория Транзистор
Тип биполярный
Вид PNP

Технические параметры

Brand: Diodes Incorporated
Collector- Base Voltage VCBO: 45 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 45 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 500 mV
Configuration: Single
DC Current Gain hFE Max: 250
Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 1000
Gain Bandwidth Product fT: 150 MHz
Manufacturer: Diodes Incorporated
Maximum DC Collector Current: 1 A
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -65 C
Mounting Style: SMD/SMT
Package / Case: SOT-223-4
Pd - Power Dissipation: 2 W
Product Category: Bipolar Transistors-BJT
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors
Series: BCP51
Subcategory: Transistors
Technology: Si
Transistor Polarity: PNP
Automotive No
Configuration Single Dual Collector
ECCN (US) EAR99
EU RoHS Compliant
Lead Shape Gull-wing
Material Si
Maximum Collector Base Voltage (V) 45
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 0.5@50mA@500mA
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 45
Maximum DC Collector Current (A) 1
Maximum Emitter Base Voltage (V) 5
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Maximum Power Dissipation (mW) 2000
Maximum Transition Frequency (MHz) 150(Min)
Minimum DC Current Gain 25@5mA@2V|40@150mA@2V|25@500mA@2V|100@150mA@2V
Minimum Operating Temperature (°C) -65
Mounting Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Packaging Tape and Reel
Part Status Active
PCB changed 3
Pin Count 4
PPAP No
Product Category Bipolar Power
Standard Package Name SOT
Supplier Package SOT-223
Tab Tab
Type PNP

Техническая документация

Datasheet
pdf, 271 КБ
Datasheet
pdf, 348 КБ