DMN1150UFB-7B
![Фото 1/2 DMN1150UFB-7B](https://static.chipdip.ru/lib/115/DOC029115844.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/709/DOC017709872.jpg)
5 руб.
Мин. кол-во для заказа 80 шт.
от 100 шт. —
3.65 руб.
80 шт.
на сумму 400 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Полевые МОП-транзисторы
Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств аккумуляторов, аудиосхем и автомобильных приложений.
Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств аккумуляторов, аудиосхем и автомобильных приложений.
Технические параметры
Brand: | Diodes Incorporated |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 10000 |
Fall Time: | 30 ns |
Id - Continuous Drain Current: | 1.41 A |
Manufacturer: | Diodes Incorporated |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | X1-DFN1006-3 |
Pd - Power Dissipation: | 500 mW |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 1.5 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 150 mOhms |
Rise Time: | 34.5 ns |
Series: | DMN1150 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 57 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 4.1 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 12 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -6 V, +6 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 350 mV |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 1.4 A |
Maximum Drain Source Resistance | 210 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 12 V |
Maximum Gate Source Voltage | -6 V, +6 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 1V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 500 mW |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | X1-DFN1006 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 1.5 nC @ 4.5 V |
Width | 0.675mm |