DMN53D0LW-7
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
11 руб.
Мин. кол-во для заказа 40 шт.
Кратность заказа 10 шт.
40 шт.
на сумму 440 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
МОП-транзистор FET Enhancement Mode N-Ch .3A 2.5Vgs 56pF
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 360 mA |
| Pd - рассеивание мощности | 420 mW |
| Qg - заряд затвора | 1.2 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 50 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 800 mV |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 2.5 ns |
| Время спада | 11 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 80 mS |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | DMN53 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 18.9 ns |
| Типичное время задержки при включении | 2.7 ns |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-323-3 |
| Base Product Number | DMN53 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 360mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 50V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.2nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 45.8pF @ 25V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | SC-70, SOT-323 |
| Power Dissipation (Max) | 320mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 270mA, 10V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | SOT-323 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 100ВµA |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 360 mA |
| Maximum Drain Source Resistance | 3 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 50 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.5V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 420 mW |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-323 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 1.2 nC @ 10 V |
| Width | 1.35mm |
| Continuous Drain Current (Id) | 360mA |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 2Ω@10V, 270mA |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 50V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.5V@100uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 45.8pF@25V |
| Power Dissipation (Pd) | 320mW |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 1.2nC@10V |
| Type | 1PCSNChannel |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet DMN53D0LW-7
pdf, 237 КБ
