ADTC114ECAQ-7
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
44 руб.
Мин. кол-во для заказа 10 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
35 руб.
10 шт.
на сумму 440 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения NPN Pre-biased Small Signal Transistor
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 310 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Выходное напряжение | 0.1 V |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
Квалификация | AEC-Q101 |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 30 |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальная рабочая частота | 250 MHz |
Максимальный постоянный ток коллектора | 100 mA |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
Пиковый постоянный ток коллектора | 100 mA |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
Типичное входное сопротивление | 10 kOhms |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок | SOT-23-3 |
Collector Current (Ic) | 100mA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 30@5mA, 5V |
Power Dissipation (Pd) | 310mW |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 323 КБ