FCX555TA
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
66 руб.
Мин. кол-во для заказа 6 шт.
от 10 шт. —
56 руб.
от 30 шт. —
52 руб.
от 100 шт. —
45.53 руб.
6 шт.
на сумму 396 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Полевые МОП-транзисторы
Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств аккумуляторов, аудиосхем и автомобильных приложений.
Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств аккумуляторов, аудиосхем и автомобильных приложений.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 180 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 150 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 400 mV |
| Configuration: | Single |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 7 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 100 MHz |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Maximum DC Collector Current: | 700 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package/Case: | SOT-89-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 2.1 W |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Series: | FCX55 |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | PNP |
| Collector Current (Ic) | 700mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 20nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 180V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 400mV@250mA, 25mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@100mA, 5V |
| Power Dissipation (Pd) | 2.1W |
| Transistor Type | PNP |
| Transition Frequency (fT) | 100MHz |
Техническая документация
Datasheet FCX555TA
pdf, 239 КБ
