FCHD040N65S3-F155
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 990 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 990 руб.
Плати частями
от 499 руб. × 4 платежа
от 499 руб. × 4 платежа
Описание
МОП-транзистор Easy Drive 650V 65A 40 mOhm
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 65 A |
| Pd - рассеивание мощности | 417 W |
| Qg - заряд затвора | 136 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 40 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4.5 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 51 ns |
| Время спада | 30 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 46 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 30 |
| Серия | SuperFET3 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 95 ns |
| Типичное время задержки при включении | 35 ns |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
Техническая документация
Datasheet FCHD040N65S3-F155
pdf, 320 КБ
