D6V3S1U2LP-7B
![D6V3S1U2LP-7B](https://static.chipdip.ru/lib/972/DOC005972815.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
22 руб.
Мин. кол-во для заказа 20 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
17 руб.
20 шт.
на сумму 440 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Подавители ЭСР / диоды для подавления переходных скачков напряжения Surge Protection PP X1-DFN1006-2 T&R 10K
Технические параметры
Cd - емкость диода | 255 pF |
Iпи - пиковый импульсный ток | 50 A |
Pd - рассеивание мощности | 250 mW |
Pppm - пиковое рассеивание мощности | 575 W |
Vеср - напряжение электростатического разряда при воздушном зазоре | 30 kV |
Vеср - напряжение электростатического разряда при контакте | 30 kV |
Категория продукта | Подавители ЭСР / диоды для подавления переходных с |
Количество каналов | 1 Channel |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение пробоя | 6.5 V |
Напряжение фиксации | 11.5 V |
Подкатегория | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes |
Полярность | Unidirectional |
Рабочее напряжение | 6.3 V |
Размер фабричной упаковки | 10000 |
Тип выводов | SMD/SMT |
Тип продукта | TVS Diodes |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок | X1-DFN1006-2 |
Количество Выводов | 2вывод(-ов) |
Максимальное Фиксированное Напряжение | 11.5В |
Рассеиваемая Мощность | 250мВт |
Стиль Корпуса Диода | X1-DFN1006 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 358 КБ