FDMC86139P
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
220 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт. —
180 руб.
от 30 шт. —
149 руб.
от 100 шт. —
124.72 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 440 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Maximum Continuous Drain Current | 4.4 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 104 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -25 V, +25 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 40 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | Power 33 |
| Pin Count | 8 |
| Series | PowerTrench |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 16 nC @ 10 V |
| Width | 3.3mm |
