BC848BLT3G

BC848BLT3G
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
7 руб.
Мин. кол-во для заказа 60 шт.
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт.5 руб.
от 600 шт.4.10 руб.
Добавить в корзину 60 шт. на сумму 420 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Посмотреть аналоги4
Номенклатурный номер: 8022793914

Описание

30V 300mW 200@2mA,5V 100mA NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS

Технические параметры

EU RoHS Compliant
ECCN (US) EAR99
Part Status Active
HTS 8541.21.00.95
Type NPN
Product Category Bipolar Small Signal
Material Si
Configuration Single
Number of Elements per Chip 1
Maximum Collector Base Voltage (V) 30
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 30
Maximum Emitter Base Voltage (V) 5
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) 0.9(Typ)@5mA@100mA|0.7(Typ)@0.5mA@10mA
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 0.25@0.5mA@10mA|0.6@5mA@100mA
Maximum DC Collector Current (A) 0.1
Maximum Collector Cut-Off Current (nA) 15
Minimum DC Current Gain 200@2mA@5V
Maximum Power Dissipation (mW) 300
Maximum Transition Frequency (MHz) 100(Min)
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Packaging Tape and Reel
Automotive No
Pin Count 3
Supplier Package SOT-23
Standard Package Name SOT
Military No
Mounting Surface Mount
Package Height 0.94
Package Length 2.9
Package Width 1.3
PCB changed 3
Lead Shape Gull-wing
Collector Current (Ic) 100mA
Collector Cut-Off Current (Icbo) 15nA
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 30V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 600mV@100mA, 5mA
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 200@2mA, 5V
Operating Temperature -55℃~+150℃@(Tj)
Power Dissipation (Pd) 300mW
Transistor Type NPN
Transition Frequency (fT) 100MHz

Техническая документация

Datasheet
pdf, 213 КБ