AFGY120T65SPD
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 440 руб.
от 10 шт. —
2 080 руб.
от 30 шт. —
1 840 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 440 руб.
Плати частями
от 610 руб. × 4 платежа
от 610 руб. × 4 платежа
Описание
The ON Semiconductor AFGY series is IGBT with soft fast recovery diode which offers very low conduction and switch losses for a high efficiency operation in various applications, rugged transient reliability and low EMI.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 120 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Power Dissipation | 714 W |
| Number of Transistors | 1 |
| Package Type | TO-247 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 248 КБ
