C3M0075120D
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
9 шт., срок 6-8 недель
2 210 руб.
1 шт.
на сумму 2 210 руб.
Плати частями
от 554 руб. × 4 платежа
от 554 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8022806388
Бренд: WOLFSPEED
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 19,7А; Idm: 80А; 113,6Вт Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.075Ом |
Power Dissipation | 113.6Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Конфигурация МОП-транзистора | Single |
Линейка Продукции | C3M |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Напряжение Измерения Rds(on) | 15В |
Напряжение Истока-стока Vds | 1.2кВ |
Непрерывный Ток Стока | 30А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 2.5В |
Рассеиваемая Мощность | 113.6Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.075Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Channel Mode | Enhancement |
Maximum Continuous Drain Current | 30 A |
Maximum Drain Source Resistance | 75 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
Maximum Gate Source Voltage | -8 V, 19 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 113.6 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1.7V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-247 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | SiC |
Typical Gate Charge @ Vgs | 54 nC @ 4/15V |
Width | 5.21mm |
Техническая документация
Datasheet C3M0075120D
pdf, 870 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.