BD237G
![Фото 1/2 BD237G](https://static.chipdip.ru/lib/351/DOC024351943.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/530/DOC002530247.jpg)
190 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 10 шт. —
150 руб.
от 30 шт. —
127 руб.
Добавить в корзину 3 шт.
на сумму 570 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Посмотреть аналоги6
Описание
The 2 A, 80 V, 25W NPN Bipolar Power Transistor is designed for use in 5.0 to 10 W audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi complementary circuits.
Технические параметры
Maximum Collector Emitter Voltage | 80 V dc |
Maximum Emitter Base Voltage | 5 V dc |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 25 W |
Minimum DC Current Gain | 40 |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-225 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Type | NPN |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 150 КБ
Datasheet BD237G
pdf, 87 КБ