FDD6N25TM
![FDD6N25TM](https://static.chipdip.ru/lib/735/DOC043735670.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
120 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 480 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Описание Транзистор полевой FDD6N25TM от производителя ONSEMI — это высоковольтный N-MOSFET компонент, предназначенный для использования в электронных схемах. Устройство обеспечивает ток стока до 4,4 А и может выдерживать напряжение сток-исток до 250 В, что делает его идеальным для различных применений, требующих высокого напряжения и умеренного тока. С мощностью всего 0,05 Вт и удобной SMD-упаковкой в корпусе TO252, этот транзистор гарантирует надежную и эффективную работу в компактных устройствах. Продукт FDD6N25TM гарантирует стабильность и долговечность благодаря качеству ONSEMI. Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | N-MOSFET |
Монтаж | SMD |
Ток стока, А | 4.4 |
Напряжение сток-исток, В | 250 |
Мощность, Вт | 0.05 |
Корпус | TO252 |