BSP52T3G NPN Darlington Transistor, 1 A 80 V HFE:2000, 3 + Tab-Pin SOT-223

BSP52T3G NPN Darlington Transistor, 1 A 80 V HFE:2000, 3 + Tab-Pin SOT-223
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
41 руб.
Кратность заказа 50 шт.
50 шт. на сумму 2 050 руб.
Плати частями
от 514 руб. × 4 платежа
Посмотреть аналоги1
Номенклатурный номер: 8014595212
Артикул: BSP52T3G

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Darlington Pairs

Технические параметры

Maximum Base Emitter Saturation Voltage 1.9 V
Maximum Collector Base Voltage 90 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage 1.3 V
Maximum Collector Emitter Voltage 80 V
Maximum Continuous Collector Current 1 A
Maximum Emitter Base Voltage 5 V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 125 W
Minimum DC Current Gain 2000
Minimum Operating Temperature -65 °C
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type SOT-223
Pin Count 3+Tab
Transistor Configuration Single
Transistor Type NPN
Width 3.7mm
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet BSP52T1G
pdf, 90 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов