BSP52T3G NPN Darlington Transistor, 1 A 80 V HFE:2000, 3 + Tab-Pin SOT-223
![BSP52T3G NPN Darlington Transistor, 1 A 80 V HFE:2000, 3 + Tab-Pin SOT-223](https://static.chipdip.ru/lib/466/DOC021466579.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
41 руб.
Кратность заказа 50 шт.
50 шт.
на сумму 2 050 руб.
Плати частями
от 514 руб. × 4 платежа
от 514 руб. × 4 платежа
Посмотреть аналоги1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Darlington Pairs
Технические параметры
Maximum Base Emitter Saturation Voltage | 1.9 V |
Maximum Collector Base Voltage | 90 V |
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage | 1.3 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 80 V |
Maximum Continuous Collector Current | 1 A |
Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 125 W |
Minimum DC Current Gain | 2000 |
Minimum Operating Temperature | -65 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-223 |
Pin Count | 3+Tab |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Type | NPN |
Width | 3.7mm |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet BSP52T1G
pdf, 90 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов