DMG1012UWQ-7
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
22 руб.
Мин. кол-во для заказа 20 шт.
Кратность заказа 5 шт.
20 шт.
на сумму 440 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
The DiodesZetex N-channel enhancement mode MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 950 mA |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.45 O |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Type | SOT-323 |
| Pin Count | 3 |
| Series | DMG1012UWQ |
| Transistor Material | Plastic |
| Type | 1PCSNChannel |
