DSS4140U-7

Фото 1/5 DSS4140U-7
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
27 руб.
Мин. кол-во для заказа 15 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт.22 руб.
от 150 шт.19 руб.
от 500 шт.14.68 руб.
15 шт. на сумму 405 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8022840299
Бренд: DIODES INC.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT LOW VCE(SAT) NPN SMT

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 400 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 1 mm
Длина 2.15 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 200 at 1 A, 5 V
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 300 at 1 mA at 5 V
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 2 A
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 40 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 40 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 500 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 150 MHz
Размер фабричной упаковки 3000
Серия DSS41
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка / блок SOT-323-3
Ширина 1.3 mm
Maximum Collector Base Voltage 40 V
Maximum Collector Emitter Voltage 40 V
Maximum DC Collector Current 1 A
Maximum Emitter Base Voltage 5 V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 400 mW
Minimum DC Current Gain 300
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type SOT-323(SC-70)
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Transistor Type NPN

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet DSS4140U-7
pdf, 107 КБ
Datasheet DSS4140U-7
pdf, 112 КБ