BVSS123LT1G, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 170мА, 0.225Вт

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

4 руб.

Мин. кол-во для заказа 117 шт.

от 355 шт. — 2.80 руб.

от 710 шт. — 2.50 руб.

117 шт. на сумму 468 руб.

Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8001804939

Артикул: BVSS123LT1G

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 170мА, 0.225Вт

Корпус	SOT23-3
Brand:	onsemi
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	3000
Forward Transconductance - Min:	80 S
Id - Continuous Drain Current:	170 mA
Manufacturer:	onsemi
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Number of Channels:	1 Channel
Package / Case:	SOT-23-3
Pd - Power Dissipation:	225 mW
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qualification:	AEC-Q101
Rds On - Drain-Source Resistance:	6 Ohms
Series:	BSS123L
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	40 ns
Typical Turn-On Delay Time:	20 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	100 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	1.6 V
Вес, г	0.389

pdf, 171 КБ

Мы рекомендуем