DMG1012UW
![DMG1012UW](https://static.chipdip.ru/lib/173/DOC012173899.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
90 руб.
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
от 10 шт. —
71 руб.
от 30 шт. —
62 руб.
от 100 шт. —
51.14 руб.
5 шт.
на сумму 450 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
SOT-323 MOSFETs ROHS
Технические параметры
Type | N Channel |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Lead Finish | Matte Tin |
Max Processing Temp | 260 |
Maximum Continuous Drain Current | 1 A |
Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
Maximum Gate Source Voltage | ±6 V |
Mounting | Surface Mount |
Operating Temperature | -55 to 150 °C |
RDS-on | 450@4.5V mOhm |
Typical Fall Time | 12.3 ns |
Typical Rise Time | 7.4 ns |
Typical Turn-Off Delay Time | 26.7 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 5.1 ns |
Drain Source On State Resistance | 0.3Ом |
Power Dissipation | 290мВт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
Напряжение Истока-стока Vds | 20В |
Непрерывный Ток Стока | 1А |
Пороговое Напряжение Vgs | 500мВ |
Стиль Корпуса Транзистора | SOT-323 |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |