MMBTA06_R1_00001

MMBTA06_R1_00001
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
9080 шт., срок 6-8 недель
7 руб.
Мин. кол-во для заказа 60 шт.
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт.5 руб.
от 600 шт.4.20 руб.
от 3000 шт.3.29 руб.
60 шт. на сумму 420 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8022898056

Описание

80V 225mW 100@100mA,1V 500mA NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS

Технические параметры

Collector Current (Ic) 500mA
Collector Cut-Off Current (Icbo) 100nA
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 80V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 250mV@10mA, 100mA
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 100@100mA, 1V
Operating Temperature -55℃~+150℃@(Tj)
Power Dissipation (Pd) 225mW
Transistor Type NPN
Transition Frequency (fT) 100MHz
Brand: Panjit
Collector- Base Voltage VCBO: 80 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 80 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 250 mV
Configuration: Single
Continuous Collector Current: 500 mA
DC Collector/Base Gain hFE Min: 100
Emitter- Base Voltage VEBO: 4 V
Factory Pack Quantity: 3000
Gain Bandwidth Product fT: 100 MHz
Manufacturer: Panjit
Maximum DC Collector Current: 500 mA
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Package/Case: SOT-23-3
Pd - Power Dissipation: 225 mW
Product Category: Bipolar Transistors-BJT
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors
Subcategory: Transistors
Technology: Si
Transistor Polarity: NPN

Техническая документация

Datasheet
pdf, 341 КБ

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.