MMBTA06_R1_00001
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
9080 шт., срок 6-8 недель
7 руб.
Мин. кол-во для заказа 60 шт.
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт. —
5 руб.
от 600 шт. —
4.20 руб.
от 3000 шт. —
3.29 руб.
60 шт.
на сумму 420 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8022898056
Бренд: PanJit Semiconductors
Описание
80V 225mW 100@100mA,1V 500mA NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 500mA |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 80V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 250mV@10mA, 100mA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@100mA, 1V |
Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
Power Dissipation (Pd) | 225mW |
Transistor Type | NPN |
Transition Frequency (fT) | 100MHz |
Brand: | Panjit |
Collector- Base Voltage VCBO: | 80 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 80 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 250 mV |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current: | 500 mA |
DC Collector/Base Gain hFE Min: | 100 |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 4 V |
Factory Pack Quantity: | 3000 |
Gain Bandwidth Product fT: | 100 MHz |
Manufacturer: | Panjit |
Maximum DC Collector Current: | 500 mA |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Package/Case: | SOT-23-3 |
Pd - Power Dissipation: | 225 mW |
Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
Subcategory: | Transistors |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | NPN |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 341 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.