DMP1011UCB9-7
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
93 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт. —
80 руб.
от 30 шт. —
74 руб.
от 100 шт. —
66.51 руб.
4 шт.
на сумму 372 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Полевые МОП-транзисторы
Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств аккумуляторов, аудиосхем и автомобильных приложений.
Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств аккумуляторов, аудиосхем и автомобильных приложений.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Fall Time: | 22.7 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 10 A |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package/Case: | U-WLB1515-9 |
| Pd - Power Dissipation: | 890 mW |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 8.1 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 8.2 mOhms |
| Rise Time: | 22.6 ns |
| Series: | DMP1011 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 30.1 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 6.2 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 8 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -6 V, +6 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.1 V |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 488 КБ
