FDD86580-F085

Фото 1/2 FDD86580-F085
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
190 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт.160 руб.
от 30 шт.134 руб.
от 100 шт.111.72 руб.
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 380 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8022921143

Описание

МОП-транзистор 60/20V 1000A NCnl PowerTrench МОП-транзистор

Технические параметры

Вид монтажа SMD/SMT
Высота 2.39 mm
Длина 6.73 mm
Другие названия товара № FDD86580_F085
Категория продукта МОП-транзистор
Подкатегория MOSFETs
Размер фабричной упаковки 2500
Серия FDD86580_F085
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Торговая марка ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блок TO-252-3
Ширина 6.22 mm
Automotive Yes
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Configuration Single
ECCN (US) EAR99
EU RoHS Compliant with Exemption
Lead Shape Gull-wing
Maximum Continuous Drain Current (A) 50
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) 10@10V
Maximum Drain Source Voltage (V) 60
Maximum Gate Source Leakage Current (nA) 100
Maximum Gate Source Voltage (V) ±20
Maximum Gate Threshold Voltage (V) 4.2
Maximum IDSS (uA) 1
Maximum Operating Temperature (°C) 175
Maximum Power Dissipation (mW) 75000
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Mounting Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Packaging Tape and Reel
Part Status LTB
PCB changed 2
Pin Count 3
PPAP Yes
Process Technology TMOS
Product Category Power MOSFET
Standard Package Name TO-252
Supplier Package DPAK
Supplier Temperature Grade Automotive
Tab Tab
Typical Fall Time (ns) 5
Typical Gate Charge @ 10V (nC) 30
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) 30@10V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) 1430@30V
Typical Rise Time (ns) 11
Typical Turn-Off Delay Time (ns) 15
Typical Turn-On Delay Time (ns) 12

Техническая документация

Datasheet
pdf, 497 КБ
Datasheet FDD86580-F085
pdf, 562 КБ