DSS5220V-7
![DSS5220V-7](https://static.chipdip.ru/lib/551/DOC006551096.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
23 руб.
Мин. кол-во для заказа 20 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
18 руб.
20 шт.
на сумму 460 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Биполярные транзисторы - BJT LOW VCE(SAT) PNP SMT
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 600 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 0.6 mm |
Длина | 1.6 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 220 |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 220 at 1 mA at 2 V |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 20 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 20 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 80 mV |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Непрерывный коллекторный ток | 2 A |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | PNP |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 150 MHz |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | DSS52 |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок | SOT-563-6 |
Ширина | 1.2 mm |