DSS5220V-7

DSS5220V-7
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
23 руб.
Мин. кол-во для заказа 20 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт.18 руб.
20 шт. на сумму 460 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8022929568
Бренд: DIODES INC.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT LOW VCE(SAT) PNP SMT

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 600 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 0.6 mm
Длина 1.6 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 220
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 220 at 1 mA at 2 V
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 2 A
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 20 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 20 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 80 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Непрерывный коллекторный ток 2 A
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 150 MHz
Размер фабричной упаковки 3000
Серия DSS52
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка / блок SOT-563-6
Ширина 1.2 mm