FZT956TA
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
180 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 10 шт. —
150 руб.
от 30 шт. —
123 руб.
3 шт.
на сумму 540 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Описание Транзистор: PNP, биполярный, 200В, 2А, 3Вт, SOT223 Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | биполярный |
| Вид | PNP |
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 3 W |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 1.65 mm |
| Длина | 6.7 mm |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 100 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 5 A |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 220 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 200 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 275 mV |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 2 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | PNP |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 110 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | FZT956 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-223-4 |
| Ширина | 3.7 mm |
| Base Product Number | FZT956 -> |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1A, 5V |
| ECCN | EAR99 |
| Frequency - Transition | 110MHz |
| HTSUS | 8541.29.0075 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Power - Max | 3W |
| REACH Status | REACH Affected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | SOT-223 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 370mV @ 300mA, 3A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 200V |
| Collector Emitter Voltage Max | 200В |
| Continuous Collector Current | 2А |
| DC Current Gain hFE Min | 50hFE |
| DC Усиление Тока hFE | 50hFE |
| Power Dissipation | 3Вт |
| Квалификация | - |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | - |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-223 |
| Частота Перехода ft | 110МГц |
| Maximum Collector Base Voltage | 220 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -200 V |
| Maximum DC Collector Current | -2 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
| Maximum Operating Frequency | 110 MHz |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 3 W |
| Minimum DC Current Gain | 100 |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-223(SC-73) |
| Pin Count | 3+Tab |
| Transistor Configuration | Single |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 229 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet FZT956TA
pdf, 183 КБ
Datasheet FZT956TA
pdf, 457 КБ
