FDH3632
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
770 руб.
от 10 шт. —
710 руб.
от 30 шт. —
663 руб.
от 90 шт. —
619.43 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 770 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 800мА, 310Вт, TO247
Технические параметры
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: | 450 |
| Fall Time: | 46 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 80 A |
| Manufacturer: | onsemi |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package/Case: | TO-247-3 |
| Packaging: | Tube |
| Part # Aliases: | FDH3632_NL |
| Pd - Power Dissipation: | 310 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 110 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 7.5 mOhms |
| Rise Time: | 39 ns |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 96 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 30 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 860 КБ
