DCP69-13
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
12 руб.
Мин. кол-во для заказа 33 шт.
от 100 шт. —
9.50 руб.
от 500 шт. —
8.43 руб.
33 шт.
на сумму 396 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 25 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 20 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 500 mV |
| Configuration: | Single |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 50 at-5 mA, -10 V |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 200 MHz |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Maximum DC Collector Current: | 1 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-223-4 |
| Pd - Power Dissipation: | 1 W |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Series: | DCP69 |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | PNP |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 621 КБ
