MMBTA06W_R1_00001
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
3000 шт., срок 6-8 недель
4 руб.
Мин. кол-во для заказа 150 шт.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
3 руб.
150 шт.
на сумму 600 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8022943674
Бренд: PanJit Semiconductors
Описание
80V 225mW 100@100mA,1V 500mA NPN SOT-323-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
Collector-Emitter Breakdown Voltage | 80V |
Maximum DC Collector Current | 500mA |
Pd - Power Dissipation | 225mW |
Transistor Type | NPN |
Collector Current (Ic) | 500mA |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 80V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 250mV@10mA, 100mA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@100mA, 1V |
Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
Power Dissipation (Pd) | 225mW |
Transition Frequency (fT) | 100MHz |
Техническая документация
Datasheet MMBTA06W_R1_00001
pdf, 273 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.