MMBTA06W_R1_00001

3000 шт., срок 6-8 недель
4 руб.
Мин. кол-во для заказа 150 шт.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт.3 руб.
150 шт. на сумму 600 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8022943674

Описание

80V 225mW 100@100mA,1V 500mA NPN SOT-323-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS

Технические параметры

Collector-Emitter Breakdown Voltage 80V
Maximum DC Collector Current 500mA
Pd - Power Dissipation 225mW
Transistor Type NPN
Collector Current (Ic) 500mA
Collector Cut-Off Current (Icbo) 100nA
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 80V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 250mV@10mA, 100mA
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 100@100mA, 1V
Operating Temperature -55℃~+150℃@(Tj)
Power Dissipation (Pd) 225mW
Transition Frequency (fT) 100MHz

Техническая документация

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.