BC856B-13-F

Фото 1/2 BC856B-13-F
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
9 руб.
Мин. кол-во для заказа 50 шт.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт.7 руб.
от 300 шт.5.90 руб.
от 1000 шт.5.19 руб.
50 шт. на сумму 450 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8022952357
Бренд: DIODES INC.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT NPN Small SIG -80V -65V VCEO -5.0 VEBO

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 350 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 220
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 475
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 80 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 65 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 650 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Непрерывный коллекторный ток 100 mA
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 200 MHz
Размер фабричной упаковки 10000
Серия BC856B
Технология Si
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка / блок SOT-23-3
Brand Diodes Incorporated
Collector- Base Voltage VCBO -80 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max -65 V
Collector-Emitter Saturation Voltage -650 mV
Configuration Single
Continuous Collector Current -100 mA
DC Collector/Base Gain Hfe Min 220
DC Current Gain HFE Max 475
Emitter- Base Voltage VEBO -5 V
Factory Pack Quantity 10000
Gain Bandwidth Product FT 200 MHz
Manufacturer Diodes Incorporated
Maximum Operating Temperature +150 C
Minimum Operating Temperature -65 C
Mounting Style SMD/SMT
Package / Case SOT-23-3
Packaging Cut Tape or Reel
Pd - Power Dissipation 350 mW
Product Category Bipolar Transistors-BJT
Product Type BJTs-Bipolar Transistors
Series BC856B
Subcategory Transistors
Technology Si
Transistor Polarity PNP

Техническая документация

Datasheet
pdf, 293 КБ