DMNH4005SCT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
460 руб.
от 10 шт. —
410 руб.
1 шт.
на сумму 460 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
МОП-транзистор МОП-транзистор BVDSS: 41V-60V
Технические параметры
| Вид монтажа | Through Hole |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Automotive Standard | AEC-Q101 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Maximum Continuous Drain Current | 150 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 4 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Maximum Gate Source Voltage | 20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 165 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220AB |
| Pin Count | 3 |
| Series | DMN |
| Transistor Configuration | Single |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 48 nC @ 10 V |
| Width | 9.01mm |
