N-Channel MOSFET, 192 A, 40 V, 8-Pin PQFN8 FDMS8320LDC
![Фото 1/2 N-Channel MOSFET, 192 A, 40 V, 8-Pin PQFN8 FDMS8320LDC](https://static.chipdip.ru/lib/612/DOC034612854.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/612/DOC034612857.jpg)
480 руб.
Кратность заказа 5 шт.
5 шт.
на сумму 2 400 руб.
Плати частями
от 600 руб. × 4 платежа
от 600 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types.
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 192 A |
Maximum Drain Source Resistance | 1.7 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 125 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | PQFN8 |
Pin Count | 8 |
Series | PowerTrench |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 121 nC @ 10 V |
Width | 5.85mm |
Вес, г | 3 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet FDMS8320LDC
pdf, 311 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов