N-Channel MOSFET, 192 A, 40 V, 8-Pin PQFN8 FDMS8320LDC

Фото 1/2 N-Channel MOSFET, 192 A, 40 V, 8-Pin PQFN8 FDMS8320LDC
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
480 руб.
Кратность заказа 5 шт.
5 шт. на сумму 2 400 руб.
Плати частями
от 600 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8009832284
Артикул: FDMS8320LDC

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types.

Технические параметры

Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 192 A
Maximum Drain Source Resistance 1.7 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 40 V
Maximum Gate Source Voltage -20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 125 W
Minimum Gate Threshold Voltage 1V
Minimum Operating Temperature -55 °C
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type PQFN8
Pin Count 8
Series PowerTrench
Transistor Configuration Single
Transistor Material Si
Typical Gate Charge @ Vgs 121 nC @ 10 V
Width 5.85mm
Вес, г 3

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet FDMS8320LDC
pdf, 311 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов