DMN2005LP4K-7
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
33 руб.
Мин. кол-во для заказа 15 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
28 руб.
от 150 шт. —
25 руб.
от 500 шт. —
21.81 руб.
15 шт.
на сумму 495 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Полевые МОП-транзисторы
Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств аккумуляторов, аудиосхем и автомобильных приложений.
Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств аккумуляторов, аудиосхем и автомобильных приложений.
Технические параметры
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant |
| Lead Shape | No Lead |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 0.3 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 1500@4V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 20 |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 5000 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±10 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 0.9 |
| Maximum IDSS (uA) | 10 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 400 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 3 |
| Pin Count | 3 |
| PPAP | No |
| Product Category | Small Signal |
| Standard Package Name | DFN |
| Supplier Package | DFN |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 37.1@10V |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Forward Transconductance - Min: | 40 mS |
| Id - Continuous Drain Current: | 300 mA |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | X2-DFN1006-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 400 mW |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Product: | MOSFET Small Signal |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 650 mOhms |
| Series: | DMN2005 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 13.7 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 4.06 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 530 mV |
| Continuous Drain Current (Id) | 200mA |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 1.5Ω@4V, 10mA |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 900mV@100uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 41pF@3V |
| Power Dissipation (Pd) | 400mW |
| Type | 1PCSNChannel |
