FQD3N60CTM-WS, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 600 В, 2.4 А, 2.8 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
340 руб.
Мин. кол-во для заказа 8 шт.
от 10 шт. —
300 руб.
от 100 шт. —
224 руб.
8 шт.
на сумму 2 720 руб.
Плати частями
от 680 руб. × 4 платежа
от 680 руб. × 4 платежа
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 2.8Ом |
Power Dissipation | 50Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | QFET |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
Непрерывный Ток Стока | 2.4А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
Рассеиваемая Мощность | 50Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 2.8Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Вес, г | 0.5 |
Техническая документация
Datasheet FQD3N60CTM-WS
pdf, 954 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов