MMBT2907A_R1_00001
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2773 шт., срок 6-8 недель
3 руб.
Мин. кол-во для заказа 140 шт.
от 500 шт. —
2.05 руб.
140 шт.
на сумму 420 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8022980034
Бренд: PanJit Semiconductors
Технические параметры
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 60V |
| Maximum DC Collector Current | 600mA |
| Pd - Power Dissipation | 225mW |
| Transistor Type | PNP |
| Brand: | Panjit |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 60 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 60 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.6 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current: | -600 mA |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 100 at-150 mA, -10 V |
| DC Current Gain hFE Max: | 300 at-150 mA, -10 V |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 200 MHz |
| Manufacturer: | Panjit |
| Maximum DC Collector Current: | 600 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 225 mW |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Series: | GPT-02TP |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | PNP |
| Collector Current (Ic) | 600mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 50nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 60V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 1.6V@500mA, 50mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@150mA, 10V |
| Power Dissipation (Pd) | 225mW |
| Transition Frequency (fT) | 200MHz |
Техническая документация
Datasheet MMBT2907A_R1_00001
pdf, 692 КБ
Datasheet MMBT2907A_R1_00001
pdf, 640 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
