DSS5220T-7

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

27 руб.

Мин. кол-во для заказа 15 шт.

Кратность заказа 5 шт.

от 50 шт. — 21 руб.

от 150 шт. — 18 руб.

от 500 шт. — 14.77 руб.

15 шт. на сумму 405 руб.

Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8022993378

Бренд: DIODES INC.

Биполярные транзисторы - BJT 20V PNP Low Sat Transistor

Pd - рассеивание мощности	1.2 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	150
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	3 A
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	20 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	20 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	225 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	7 V
Непрерывный коллекторный ток	2 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	100 MHz
Размер фабричной упаковки	3000
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка / блок	SOT-23-3

pdf, 482 КБ