FDC658AP
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
89 руб.
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
от 10 шт. —
70 руб.
от 30 шт. —
62 руб.
от 100 шт. —
51.14 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 445 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Полевые МОП-транзисторы PowerTrench®
onsemi / Fairchild МОП-транзисторы PowerTrench® предлагают широкий ассортимент полевых МОП-транзисторов в отрасли. Эти полевые МОП-транзисторы предлагают версии с N-каналом и P-каналом, которые оптимизированы для работы и надежности переключения с низким R DS (ON). Типичные приложения включают переключатели нагрузки, первичное переключение, мобильные вычисления, преобразователи постоянного тока в постоянный и синхронные выпрямители.
onsemi / Fairchild МОП-транзисторы PowerTrench® предлагают широкий ассортимент полевых МОП-транзисторов в отрасли. Эти полевые МОП-транзисторы предлагают версии с N-каналом и P-каналом, которые оптимизированы для работы и надежности переключения с низким R DS (ON). Типичные приложения включают переключатели нагрузки, первичное переключение, мобильные вычисления, преобразователи постоянного тока в постоянный и синхронные выпрямители.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Maximum Continuous Drain Current | 4 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 75 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -25 V, +25 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 1.6 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 6 |
| Series | PowerTrench |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 6 nC @ 5 V |
| Width | 1.7mm |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Fall Time: | 12 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 8.4 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 4 A |
| Manufacturer: | onsemi |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package/Case: | SSOT-6 |
| Pd - Power Dissipation: | 1.6 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Product: | MOSFET Small Signals |
| Qg - Gate Charge: | 8.1 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 44 mOhms |
| Rise Time: | 12 ns |
| Series: | FDC658AP |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | PowerTrench |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 16 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 7 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Case | SuperSOT-6 |
| Drain current | -4A |
| Drain-source voltage | -30V |
| Features of semiconductor devices | logic level |
| Gate charge | 8.1nC |
| Gate-source voltage | ±25V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Manufacturer | ONSEMI |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 75mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 1.6W |
| Technology | PowerTrench® |
| Type of transistor | P-MOSFET |
