DMN4035L-7
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
25 руб.
Мин. кол-во для заказа 20 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
21 руб.
от 150 шт. —
19 руб.
от 500 шт. —
16.33 руб.
20 шт.
на сумму 500 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
The DiodesZetex 40V N- channel enhancement mode MOSFET is designed to minimize the on-state resistance yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management application.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 4.6 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.052 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 3 |
| Series | DMN4035 |
| Transistor Material | Si |
| Continuous Drain Current (Id) | 4.6A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 42mΩ@10V, 4.3A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 574pF@20V |
| Power Dissipation (Pd) | 720mW |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 12.5nC@10V |
| Type | 1PCSNChannel |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 534 КБ
