MMDT3904_R1_00001
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2828 шт., срок 6-8 недель
5 руб.
Мин. кол-во для заказа 80 шт.
от 100 шт. —
4.10 руб.
от 500 шт. —
3.58 руб.
80 шт.
на сумму 400 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения4
Номенклатурный номер: 8023016565
Бренд: PanJit Semiconductors
Технические параметры
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 40V |
| Manufacturer | PANJIT International |
| Maximum DC Collector Current | 200mA |
| Package / Case | SOT-363 |
| Packaging | Tape & Reel(TR) |
| Pd - Power Dissipation | 225mW |
| Transistor Type | 2 NPN(Double) |
| Brand: | Panjit |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 60 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 40 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 300 mV |
| Configuration: | Dual |
| Continuous Collector Current: | 200 mA |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 100 at 10 mA, 1 V |
| DC Current Gain hFE Max: | 300 at 10 mA, 1 V |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Manufacturer: | Panjit |
| Maximum DC Collector Current: | 200 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-363-6 |
| Pd - Power Dissipation: | 225 mW |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Series: | DT-03TSN |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | NPN |
Техническая документация
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
