FDMC4435BZ
60 шт., срок 6-8 недель
120 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт. —
94 руб.
от 30 шт. —
81 руб.
4 шт.
на сумму 480 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
30V 20mΩ@8.5A,10V 3V@250uA P Channel WDFN-8(3.3x3.3) MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 8.5A;18A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 20mΩ@8.5A, 10V |
Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | 2.045nF@15V |
Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
Power Dissipation (Pd) | 2.3W;31W |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 53nC@10V |
Type | P Channel |
Техническая документация
Datasheet FDMC4435BZ-F126
pdf, 544 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.