D3V3S1B2LP-7B
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
25 руб.
Мин. кол-во для заказа 20 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
21 руб.
20 шт.
на сумму 500 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Breakdown Voltage: | 3.8 V |
| Cd - Diode Capacitance: | 118 pF |
| Clamping Voltage: | 9.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 10000 |
| Ipp - Peak Pulse Current: | 50 A |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | X1-DFN1006-2 |
| Pd - Power Dissipation: | 250 mW |
| Polarity: | Bidirectional |
| Pppm - Peak Pulse Power Dissipation: | 410 W |
| Product Category: | ESD Suppressors/TVS Diodes |
| Product Type: | TVS Diodes |
| Subcategory: | TVS Diodes/ESD Suppression Diodes |
| Termination Style: | SMD/SMT |
| Vesd - Voltage ESD Air Gap: | 30 kV |
| Vesd - Voltage ESD Contact: | 30 kV |
| Working Voltage: | 3.3 V |
Техническая документация
Datasheet D3V3S1B2LP-7B
pdf, 310 КБ
