FZT755TA

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

140 руб.

Мин. кол-во для заказа 3 шт.

от 10 шт. — 110 руб.

от 30 шт. — 92 руб.

от 100 шт. — 78.91 руб.

3 шт. на сумму 420 руб.

Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8023033441

Бренд: DIODES INC.

Биполярные транзисторы - BJT PNP High Voltage

Pd - рассеивание мощности	2 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	1.65 mm
Длина	6.7 mm
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	50
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	300
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	1 A
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	150 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	150 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	500 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Непрерывный коллекторный ток	1 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	30 MHz
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	FZT755
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка / блок	SOT-223-4
Ширина	3.7 mm

pdf, 567 КБ