NCE65T180T
622 шт., срок 6-8 недель
290 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт. —
260 руб.
от 30 шт. —
235 руб.
от 90 шт. —
214.28 руб.
2 шт.
на сумму 580 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8023035536
Бренд: Wuxi NCE Power Semiconductor
Описание
650V 21A 150mΩ@10V,10.5A 188W 3.5V@250uA N Channel TO-247-3 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 21A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 150mΩ@10V, 10.5A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 3.5V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 2.25nF@50V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 188W |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 1.6pF@50V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 36nC@10V |
| Type | N Channel |
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
