BCP5516TA

Фото 1/3 BCP5516TA
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
36 руб.
Мин. кол-во для заказа 11 шт.
от 30 шт.24 руб.
от 100 шт.19.36 руб.
11 шт. на сумму 396 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8023035910
Бренд: DIODES INC.

Описание

Описание Транзистор: NPN, биполярный, 60В, 1А, 2Вт, SOT223 Характеристики
Категория Транзистор
Тип биполярный
Вид NPN

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности: 2 W
Вид монтажа: SMD/SMT
Категория продукта: Биполярные транзисторы-BJT
Конфигурация: Single
Максимальная рабочая температура: +150 C
Максимальный постоянный ток коллектора: 1 A
Минимальная рабочая температура: -55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO): 60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 60 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 500 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO): 5 V
Подкатегория: Transistors
Полярность транзистора: NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT): 150 MHz
Производитель: Diodes Incorporated
Размер фабричной упаковки: Размер фабричной упаковки: 1000
Серия: BCP55
Технология: Si
Тип продукта: BJTs-Bipolar Transistors
Торговая марка: Diodes Incorporated
Упаковка / блок: SOT-223-4
Case SOT223
Collector current 1A
Collector-emitter voltage 60V
Current gain 100…250
Frequency 150MHz
Kind of package reel, tape
Manufacturer DIODES INCORPORATED
Mounting SMD
Polarisation bipolar
Power dissipation 2W
Type of transistor NPN

Техническая документация

Datasheet
pdf, 424 КБ
Datasheet BCP5516TA
pdf, 385 КБ