BCP5516TA
![Фото 1/3 BCP5516TA](https://static.chipdip.ru/lib/735/DOC043735674.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/398/DOC035398602.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/147/DOC013147643.jpg)
36 руб.
Мин. кол-во для заказа 11 шт.
от 30 шт. —
24 руб.
от 100 шт. —
19.36 руб.
11 шт.
на сумму 396 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Описание Транзистор: NPN, биполярный, 60В, 1А, 2Вт, SOT223 Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | биполярный |
Вид | NPN |
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности: | 2 W |
Вид монтажа: | SMD/SMT |
Категория продукта: | Биполярные транзисторы-BJT |
Конфигурация: | Single |
Максимальная рабочая температура: | +150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора: | 1 A |
Минимальная рабочая температура: | -55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO): | 60 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: | 60 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: | 500 mV |
Напряжение эмиттер-база (VEBO): | 5 V |
Подкатегория: | Transistors |
Полярность транзистора: | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT): | 150 MHz |
Производитель: | Diodes Incorporated |
Размер фабричной упаковки: Размер фабричной упаковки: | 1000 |
Серия: | BCP55 |
Технология: | Si |
Тип продукта: | BJTs-Bipolar Transistors |
Торговая марка: | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок: | SOT-223-4 |
Case | SOT223 |
Collector current | 1A |
Collector-emitter voltage | 60V |
Current gain | 100…250 |
Frequency | 150MHz |
Kind of package | reel, tape |
Manufacturer | DIODES INCORPORATED |
Mounting | SMD |
Polarisation | bipolar |
Power dissipation | 2W |
Type of transistor | NPN |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 424 КБ
Datasheet BCP5516TA
pdf, 385 КБ