FDD86250-F085

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

400 руб.

от 10 шт. — 330 руб.

от 30 шт. — 287 руб.

от 100 шт. — 243.81 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 400 руб.

Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8023036995

N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET 150 V, 50 A, 22 mΩ Typical RDS(on) = 19.4 mΩ at VGS = 10V, ID = 20 A

Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Forward Diode Voltage	1.25V
Maximum Continuous Drain Current	50 A
Maximum Drain Source Resistance	22 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	150 V
Maximum Gate Source Voltage	±20 V
Maximum Gate Threshold Voltage	4V
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Maximum Power Dissipation	160 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	DPAK(TO-252)
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Typical Gate Charge @ Vgs	28 nC @ 10 V
Width	6.22mm

pdf, 151 КБ

pdf, 958 КБ