FDMC86184, MOSFETs 100V/20V N-Channel PTNG MOSFET
![Фото 1/3 FDMC86184, MOSFETs 100V/20V N-Channel PTNG MOSFET](https://static.chipdip.ru/lib/741/DOC023741793.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/105/DOC047105988.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/741/DOC023741784.jpg)
600 руб.
от 10 шт. —
460 руб.
от 100 шт. —
352 руб.
от 250 шт. —
321.97 руб.
1 шт.
на сумму 600 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Unclassified
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Forward Diode Voltage | 1.3V |
Maximum Continuous Drain Current | 57 A |
Maximum Drain Source Resistance | 8.5 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 54 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | PQFN8 |
Pin Count | 8 |
Series | PowerTrench |
Transistor Configuration | Single |
Typical Gate Charge @ Vgs | 21 nC @ 10 V |
Width | 3.4mm |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов