FQAF13N80
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
850 руб.
от 10 шт. —
790 руб.
от 30 шт. —
734 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 850 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 8А 120Вт
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.58Ом |
Power Dissipation | 120Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | QFET |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 800В |
Непрерывный Ток Стока | 8А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 5В |
Рассеиваемая Мощность | 120Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.58Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-3PF |
Техническая документация
Datasheet FQAF13N80
pdf, 981 КБ