FQB19N20CTM
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
630 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 630 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.14Ом |
| Power Dissipation | 139Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | QFET |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 200В |
| Непрерывный Ток Стока | 19А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Рассеиваемая Мощность | 139Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.14Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
Техническая документация
Datasheet FQB19N20CTM
pdf, 1051 КБ
